'In occasione dellISSCC Sandisk, insieme a Toshiba annuncia una nuova tecnologia che combina X3 e il processo produttivo a 32nm. Costi ridotti e capacità aumentate, questi i diretti benefici'

È lISSCC (International Solid-State Circuits Conference) di San Francisco a fare da sfondo ai molti annunci sulle nuove tecnologie di produzione che tengono banco in questi giorni. Proprio in questa cornice Sandisk, in collaborazione con Toshiba, comunica la sua ultima tecnologia che combina X3 e un processo produttivo a 32nm per chip di memoria flash. Il nuovo chip NAND è di tipo MLC (Multi-leve cell) ed è disegnata per offrire una capacità di 32Gb, con 3 bit di memoria per ogni cella, nello spazio di una normale microSD.
La compagnia ha dichiarato che grazie alla nuova tecnologia produttiva sarà possibile offrire microSD con con maggiore densità, raddoppiando in alcuni casi la capacità degli attuali chip sviluppati con processo produttivo a 43nm. Lo sviluppo di una tecnologia di questo tipo risponde ad una precisa richiesta del mercato handheld che, con il progressivo arrivo di soluzioni sempre più tecnologicamente avanzate, necessita di unità di storage sempre più capienti.
Le due società hanno inoltre comunicato lintenzione di pianificare quanto prima la nuova tecnologia per memorie flash ad alta capcità, chiamata X4 e che prevede la possibilità di includere 4bit di dati allinterno di ogni cella. La nuova tecnologia consentirebbe di raggiungere il traguardo dei 64GB, mantenendo, grazie ad un nuovo memory controller, la velocità di transfer di 7,8MB/sec.
I pieni di entrambe le società prevedono lindizio della produzione dei primi moduli di memoria a 32nm da 32Gb X3 nel corso della seconda metà del 2009: nonostante al momento i produttori non abbiano confermato eventuali accordi con società, ricordiamo come Toshiba, in passato, abbia avuto importanti contatti diretti con Apple per la fornitura di memorie per iPhone e iPod Touch.